|
|
Форум сайта о Владимире
Здесь вы можете обсудить интересующие вас вопросы
|
Домой | Пользователи | Регистрация | Зайти | Правила форума | RSS | ВЕРНУТЬСЯ НА САЙТ
Вы не зашли.
|
SMArt
Скрытый статус
Откуда: Vladimir
Зарегистрирован: 23.04.2004
Сообщений: 2625
|
|
Американская компания General Electric сообщила о своем новом достижении в области нанотехнологий. Сотрудникам исследовательского подразделения GE удалось разработать уникальное полупроводниковое устройство на основе углеродных нанотрубок.
Новое изобретение инженеров GE может работать как в качестве диода (именно на этом варианте акцентируется основное внимание), так и в качестве транзистора. При этом новый нанодиод является одним из самых миниатюрных, если не самым миниатюрным полупроводниковым устройством в истории. Руководителем работ по созданию уникального наноустройства является Цзиун Ли, работающий в исследовательском центре General Electric в Нискейюне, штат Нью-Йорк.
Нанодиод выполнен по обычной для схеме путем соединения двух полупроводников: одного с электронной, а другого - с дырочной проводимостью. В случае традиционных полупроводников на базе кремния тип проводимости задается с помощью примесей, создающих избыток или, напротив, недостаток электронов в структуре вещества. Но если процесс допирования примесями кремния давно отработан, то ввести примеси в углеродные нанотрубки еще никому не удавалось.
Поэтому исследователи пошли другим путем и решили создавать избыток или недостаток электронов в нанотрубках с помощью электрического поля. Для этого в нанодиод был введен миниатюрный электрод с разделенным на две части затвором. Два расположенных в одной плоскости затвора соединяются с двумя половинами нанотрубки. В результате, получается устройство, похожее на обычный полевой транзистор, где затвор также разделен на две независимые части. Чтобы полученная система функционировала как нанодиод, необходимо подавать на один затвор положительное напряжение, а на другой - отрицательное. В результате такой операции появится p-n-переход, необходимый для работы диода. Если же подавать на затворы одинаковое (только положительное или только отрицательное напряжение), получится нано транзистор, работающий по схеме p-n-p или n-p-n, в зависимости от знака приложенного напряжения.
В настоящее время исследователи GE продолжают совершенствование своих разработок. В будущем такие нанодиоды смогут найти применение в компьютерной отрасли, индустрии связи, при изготовлении различных датчиков и другого электронного оборудования.
|
|
13.07.2004 10:10:54 |
|
Перейти
Сейчас на форуме 0 зарегистрированных пользователей и 5 гостей.
|
Powered by PunBB
© Copyright 2002-2004 Rickard Andersson
|
|